Új hozzászólás Aktív témák

  • Lompos48

    nagyúr

    válasz Ribi #55291 üzenetére

    Ez így igaz. Csak én kapásból a rajzban szereplő BD901 típusú tranzisztorra gondoltam. Ha részletesebben akarod: az a típus 100V-nyi Vcbo feszültségnél max. 2mA Icbo áramot produkálhat. Ez összesen 100mW teljesítményt jelentene, ami nagyon kevés a tranzisztornak a másodlagos letörés (second breakdown) zónába jutásához. Így inkább a példány tényleges Vcbo feszültségére fogja limitálni a relétekercs indukálta feszültséget. Kisebb tranzisztor, na meg nagyobb induktivitású tekercs esetén a jelenség már figyelmet érdemel.

    Illetve másnak azon az ágon (USBn) nem okozhat gondot?

    Ez a korábban boncolgatott feszültség a tranzisztor kollektorkörében születik. Arra nem figyeltem, hogy ez is az USB-ből kapja az "ecetet". Így MEA CULPA, a második kijelentésem hamis. Tehát a dióda kell. Az előbbi spekuláció ellenben érvényes marad.

Új hozzászólás Aktív témák