Új hozzászólás Aktív témák

  • And

    veterán

    válasz Batman2 #50394 üzenetére

    Nincs miért haragudnom, csak déjà vu érzésem van :U.
    "[..] pontosabban bírta is, csak közben fűtőtestként viselkedett, holott a rajta eső feszültség és az átfolyó áramerő szorzata nem igen lehet magas a 120mohm ellenállására gondolva"
    Ha 0,12Ω-on 19A folyik, akkor egy fűtőtestet kapsz, nem vitás: 19A^2 * 0,12Ω > 43W, annak a fele is sok.
    "Egy gyors váltáshoz mekkora áramimpulzust igényel egy FET ?"
    Ez két dologtól függ: az első, hogy mennyire gyors az átkapcsolás, a másik, hogy ehhez mekkora töltésmennyiséget kell megmozgatni. Például a Ribi által említett IRLB8743 ehhez kapcsolódó adata: Qq= 36nC (és Rdson= 3,2mΩ). A töltésmennyiség, amely a gate-elekróda felé vagy felől közlekedik, áram és idő szorzataként értelmezhető. Ha t= 1μs idő alatt akarunk Q= 36nC töltést mozgatni, az I= Q/t= 36mA áramot igényel. Ha pl. a kapcsolási frekvencia 300 kHz-es, akkor 1μs a teljes periódus nagyjából 1/3 része, tehát nem kevés, de ha csak 100 Hz-es PWM-ben gondolkodunk, akkor ez az időtartam a periódushoz képest elhanyagolhatóan kicsi.
    "Mondjuk ha szólóban kipróbálom a FETet folyamatos bekapcsolt állapotban, akkor kiderül, hogy tisztán a caatorna ellenállas mekkora veszteséget, melegedést okoz."
    Erre a fentiek (Rdson, bekapcsolt csatorna ellenállása) ismeretében semmi szükség, mivel egyszerűen kiszámolható: a drain áramának (amper) négyzetét összeszorzod a csatorna ellenállásával (ohm), és megkapod az állandó áram mellett kapott disszipációt. Az más kérdés, hogy az Rdson sem egy fix érték, függ valamennyit a nyitófeszültségtől (minél nagyobb az Ugs, annál kisebb az Rdson) az átfolyó áramtól és a félvezető réteg hőmérsékletétől is, de ezekre vonatkozó adatok / görbék is vannak az adatlapon.

Új hozzászólás Aktív témák