Keresés

Új hozzászólás Aktív témák

  • Busterftw

    veterán

    válasz Pingüino #134 üzenetére

    "Csak tudnám, ezeket akkor honnan szívod ki, ha nincs összehasonlítási alapod? "
    Pontosan onnan szivom ki, ahonnan masok, csak ok ezen adatok hianyaban azt jelentik ki tenykent, hogy a TSMC 5nm jobb mint az Intel 7nm.
    En epp az mondom, hogy nem olyan egyszeru ez, csak hat double standard.

    "de a két cég ugyanolyan nm számú node-ja igen hasonló."
    Eddig meg epp az volt a duma, hogy nem hasonlo. Illetve meg mindig varjuk a bizonyitekot a szamokat validalo es ellenorzo szervezetre.

    Ezt mar a fenti peldam is cafolja. Ha a ket ceg ugyanolyan szamu node-ja hasonlo, akkor a 7nm keszult Zen2 sarba tiporta volna a 14nm-en keszulo Intelt gent. Ott meg nem tortent tronfosztas, sot.

    Erdekesseg iponos cikkbol, de hatalmas HA:
    "Ezzel egy időben a riválisok sem tétlenkednek: az Intel 2023-ban érkező 7 nm-es csíkszélessége az ugyancsak akkoriban megjelenő TSMC N3, illetve a Samsung 3GAE gyártástechnológiájával kelhet versenyre – előbbi 3 nm-es FinFET, míg utóbbi 3 nm-es MBFCFET alapokon nyugszik. A China Renaissance Securities elemzői szerint akkor, ha az Intel full node-ra jellemző előrelépést tud elérni fogyasztás, teljesítmény, illetve lapkaterület tekintetében, a 10 nm-ről 7 nm-re történő átállást követően a tranzisztorsűrűség 230 és 240 MTr/inch2 szinten helyezkedhet el, azaz egy négyzethüvelyknyi területen 230-240 millió tranzisztor foglalhat helyet.
    A Samsung 3GAE esetében ez az érték picivel 220 MTr/inch2 alatt helyezkedhet el, míg a TSMC-nél 250 MTr/inch2 értékre lehet számítani. Ezek persze csak nyers becslések, így nehéz komolyabb következtéseket levonni belőlük, viszont ezek alapján úgy tűnik, 2023-ban nem lesz az iparág legjobb gyártástechnológiája az Intel 7 nm-es csíkszélessége."

    Tegyuk fel ez igaz es igy lesz, akkor a Samsung 3nm kicsivel alatt lesz az Intel 7nm-nek.
    Hiaba a kopp hasonlosag, az egyik 3nm a masik 7nm. :K

Új hozzászólás Aktív témák