Új hozzászólás Aktív témák

• #1781 woros őstag #Morcosmedve #1763

  Új Válasz 2017-11-20 09:23:46 #1781

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  woros

  őstag

  válasz #Morcosmedve #1763 üzenetére

  Ez jól leírja szerintem a kettő közötti különbséget:

  "In short, it really drives home the superiority of the Fairchild variant on the K6 boards for normal loads under 200-250W. The Fairchild part has a much lower switch time (2ns rise and fall , with 10ns max VERSUS 9.6ns rise and 19ns fall time on Sinopower dual channel mosfet) , which matters more if the setup is running in dual driver mode and it's 5 PWM phases since the switching frequency isn't halved in dual driver mode.

  edit: the Sinopower variant of the K6 does have a massive Low RDS(on) advantage over the Fairchild variant since it has about half the RDS(on). Compared to other vendors midrange, both are comparatively low RDS(on) at 1.2 milliohms for the Sinopower @ V_GS=10V and 2.4milliohms for the Fairchild. While the MSI boards' Onsemi / Ubiq have 2.6-2.8milliohms RDS(on) and slow switch times, the Onsemi variants from Asus and Gigabyte both have around 4 milliohms of RDS(on) and comparable switch times to the Sinopower dual channel mosfet. The Vishay variant of the Asus midrange has similar switch times to the Sinopower dual channel mosfet."

  forrás: [link]

Új hozzászólás Aktív témák